三种划片工艺介绍。
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划片工艺又称切割工艺，是指用不同的方法将单个芯片从圆片上分离出来，是封装中必不可少的工艺。目前划片工艺主要分为金钢石刀片机械切割、激光切割和等离子切割了3种工艺：
·1、金钢石刀片机械切割：以高速旋转的超薄金刚石刀片穿过圆片并延伸至20至30微米的切割膜中，沿着芯片与芯片之间的切割道将整片圆片分成一个个单独的芯片。目前机械切割用的刀片主要是轮毂刀片，通过电镀的方式在轮毂上形成所需要的厚度。
在机械切割过程中必须使用配备的冷却喷嘴供水，一方面使得刀片得到冷却移除，在切割点处产生的热，另一方面清除切割过程中产生的污染物和硅粉颗粒。
·2、激光切割：主要分为穿透切割和隐形切割两种。穿透切割是指激光直接切穿整个圆片并分离得到芯片。隐形切割的原理是用传统的d、s、激光器、nm，极红外透过材料表面并聚焦于内部。当内部激光功率密度超过临界值时，可以在任意深度上形成带状、SD、层、多晶层，高位错密度层和微裂纹、孔洞，然后再通过扩晶得到芯片。
隐形切割技术避免了传统激光切割由于熔化等导致热损伤等缺点，且非常适用于超薄半导体硅片的高速和高质量切割。
·3、等离子切割：先用光阻覆盖圆片的表面，通过曝光和品影工艺去除芯片间切割道内的光刻胶，然后在低压的真空腔体内通人特殊的气体，通过高频的直流电或交流电将气体等离子化，使等离子和切割道内的硅反应形成一个个单独的芯片。
目前等离子切割更多应用于超小尺寸的芯片切割，一方面可以灭少切割成本，另一方面可以减少切割道的宽度，增加圆片所设计的芯片数量，进一步减少芯片的成本。
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