充电头网从供应链获悉，安海半导体近日推出了一套65W超高功率密度的PD快充方案，其基于安海半导体高性能BlueFet 系列产品超级MOSFET打造，相比传统硅MOSFET而言，拥有更快的开关速度，并可通过系统优化，获得高达93.8%的转换效率，性能媲美氮化镓功率器件。而在成本方面，安海半导体BlueFet 系列产品超级MOSFET则要比氮化镓功率器件更具性价比优势。
在外观方面，采用安海半导体BlueFet 系列产品超级MOSFET的65W快充相比苹果30W PD快充，虽然功率翻倍，但其体积更小；同时相比小米65W迷你PD快充而言，安海方案的体型也要更显修长。
安海65W PD快充方案对比一款输出功率为61W的氮化镓快充产品，安海半导体的方案更薄更窄、略长，功率更高但体积相差不大。
通过实际测量，基于安海半导体BlueFet 系列产品超级MOSFET打造的这套65W PD快充方案的外壳尺寸约为53.15mm×44.84mm×26.91mm，在配备折叠插脚的情况下，其功率密度高达1.01W/cm³，领先市面上在售的传统硅MOSFET充电器。
取出内部PCBA，可以看到安海半导体65W PD快充方案内部电路设计十分简洁。据安海半导体的工程师介绍，该套方案在设计之初就考虑到了实际量产的需要，在保证产品完整性能的前提下，简化了PCBA的布局，整套方案仅用了两块PCB板，结构并不复杂。同时，安海半导体也可协助电源厂商根据自身的产品需求，开发其他类型的PD快充方案。
该套65W PD快充方案的核心器件为来自安海半导体BlueFet 系列产品超级MOSFET，型号ASA65R350E，耐压650V，导阻350mΩ。
据介绍，该款MOSFET采用独特专利器件结构和精心设计的制造工艺，具有比常规超结更快的开关速度及更强的EMI性能；可在获得极低的动态损耗的同时最大限度抑制了开关震荡。此外，其EAS抗冲击能力优于同类产品。通过方案优化，产品性能可以媲美GaN方案，并且具有更高的性价比。
安海半导体ASA65R350E详细规格资料。
结合PCB板的背面器件，可以看到这套65W PD快充方案为常见的开关电源宽范围输出，并通过协议芯片控制输出电压架构。初级侧搭配的是安森美NCP1342高频PWM控制器，用于控制安海半导体超级MOSFET实现高频开关动作。而在次级侧，还采用了一颗来自安海半导体的同步整流MOS管，型号ATN095N10，耐压100V。
安海半导体ATN095N10详细规格资料。
使用安海半导体65W PD快充方案给华为笔记本电脑充电，ChargerLAB POWER-Z KM001C测得电压20.21V，电流2.91A，充电功率约为59W，成功支持USB PD快充。
给三星S20 Ultra充电，测得电压9.25V，电流2.86A，充电功率约为26.5W，成功支持USB PD3.0 PPS快充。
给100W移动电源充电时，测得电压20.28V，电流3.24A，充电功率约为65.7W，成功支持USB PD快充。
在220VAC电压下，以最大功率65W输出，测得该快充方案的纹波约为60mV。
充电头网进一步了解到，目前安海半导体BlueFet 系列产品超级MOSFET已经量产出货。值得一提的是，作为一家MOSFET原厂，安海半导体除了可以向客户提供元器件，还能为客户提供最精简的PD快充参考设计，帮助客户缩短产品开发周期，以最小的成本加速产品上市。如有产品需求可以与安海半导体销售工程师取得联系。
关于安海半导体
安海半导体集团（ANHI Semiconductor Group）是由具备模拟及功率半导体行业超过20年经验的资深团队组建而成，专注于高性能模拟及功率半导体技术、产品及系统方案的开发，富士康半导体集团为安海半导体主要投资机构。
安海半导体致力于成为将工艺技术、器件设计、电路设计和系统应用相结合的模拟及功率半导体公司，为客户提供完整的模拟及功率半导体产品系列和应用方案。
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