以下是有关如何确定MOSFET光耦是否有故障的指南。这些是可用于检查MOSFET是否有缺陷的最常用技术。
我们将尝试了解MOSFET是否有故障的第一件事是检查二极管压降。获取一个DMM并将其设置为二极管模式。对于NMOS，请遵循以下设置。
先进光半导体
对于PMOS，请遵循以下设置：
先进光半导体
好的MOSFET的读数应为0.4V至0.9V（取决于MOSFET的类型）。如果读数为零，则说明MOSFET有故障。当读数为“开路”或无读数时，MOSFET也有缺陷。
当您将DMM探针连接反向时，读数应为“开路”，或者对于良好的MOSFET，读数应为“无”。如果读数为零，则说明MOSFET有故障。
下一步如何确定MOSFET是否有缺陷的方法是进行电阻检查。一个好的MOSFET应该在漏源之间具有高电阻，而与DMM探针的极性无关。
无论哪种方式，栅极到源极都具有高电阻，以形成良好的MOSFET。但是，应注意，当将DMM的正极置于NMOS的栅极，负极置于NMOS的源极时，MOSFET光耦将导通。在测量漏极至源极电阻时，您可能会错误地判断MOSFET有缺陷，因为DMM的读数为0ohm。
与PMOS相同，当您将正极的正极端连接到源极而将DMM的负极极端连接到栅极时，MOSFET将导通。
如果测量MOSFET端子与端子之间的电阻，则应考虑相关的电阻，因为它们会影响读数。例如，在下面的电路中，当测量跨栅极到源极的电阻时，读取的不是高电阻，而是R1的值为10k。卸下10k电阻将使读数较高。
先进光半导体
现在如何确定MOSFET是否有缺陷的第三种方法是进行连续性测试。将DMM设置为连续性模式。在现代DMM中，连接测量点时，连续性模式通常会发出声音。当读数为零或DMM声音持续存在时，将DMM的正极放到源极上，将DMM的负极放到源极上，反之亦然，这会损坏设备。漏源短路。对MOSFET的其他引线使用相同的方法，并使用相同的判断。但是，当您将DMM的正极放置在栅极上，将负极放置在源极上用于NMOS或将PMOS放置在其他位置时；当您测量漏极到源极之间的连续性时，设备将打开。读数为零。您可能会误认为MOSFET有故障。要进行验证，请关闭设备并再次测量连续性。要关闭NMOS，请将DMM的正极端子连接到源极，而将负极端子连接到栅极。否则，请关闭PMOS。好的MOSFET端子之间应该没有连续性。如果有，那确实是有缺陷的。
上面的技术在如何知道MOSFET光耦是否有缺陷方面很常见。我知道那里几乎没有其他技术。因此，我建议将上述技术与您学到的其他技术结合起来，以便执行准确的故障排除。
