做电源的小伙伴，对吸收线路可能很熟悉，适当的吸收器件对二极管，三极管的电压电流应力，EMI等都有帮助，常见的吸收线路有C，RC，RCD等，本文详细的讲解下RCD的原理和对应力的帮助
如图1是反激电源里面常见的RCD吸收线路，我们先装参数R1=100K C1=102 D1是快管，Trr是50ns
图1
用示波器测量Q1 MOS的波形如图2所示，其中通道1是VDS电压，通道3是电容C1的电压，可以看到MOS VDS电压有很多震荡，震荡的原因是变压器的漏感Lk和MOS的寄生电容在震荡
图2
我们将D1二极管更换为慢管，Trr是1us 波形如图3，尖峰处的震荡减小了，原因是D1使用慢恢复的二极管之后VDS电压达到最大值之后，二极管并没有关断，这个时候漏感Lk，主感Lp，R1, C1形成一个阻尼震荡，吸收了能量。
我们也可以通过C1电容的波形来看，当二极管用慢管的时候，C1电容出现2个震荡，说明C1参与上面所示的阻尼震荡，如果二极管已经关断，那就会像图2快管C1电压波形一样，只有一个电压尖峰，因为关断后没有回路可以震荡，所以一般对策EMI时候，将二极管换成快管是一个方法，但是带来的问题就是二极管的损耗增加，二极管本体温度过高，以及效率降低；
图3
也有线路会增加一个R2，如图4，我们尝试将R2为100欧姆，电压波形如图5，震荡基本没有了，说明在二极管反向截止的这块时间，震荡通过R2吸收了，电压震荡越小，EMI是越好的，所以有些线路通过增加R2来改善EMI
图4
图5
另外一般我们调试RCD的时候，普遍认为RC过大，会减小效率，那实际是怎么样的呢？将R1还是100K，C1从102修改为472，对比图6，C1是102，图7，C1是472，发现效率增加了一些，通过电容C1的波形来看，应该是C1的电容太大，放电太慢导致
因为次级反射的电压大概是90V，当C1是102的时候，二极管关断后C1的电压通过R1放电很快降到90V，所以在次级二极管续流的阶段，次级绕组对初级放射电压是通过R1消耗功率的，但是C1是472时候，二极管关断后电压还是大于90V,说明在次级续流的阶段，绕组没有在R1消耗功率，所以效率稍高一些
图6
图7
如果继续减小R1，R1=10K，效率降低了0.5%，但是VDS电压下降了，通过图8，C1波形可以看出C1的电压通过R1放电很低，所以下一阶段电压也低，如果VDS电压比较高，快接近MOS的规格，可以通过此方法减小应力
图8
