在 3D NAND 堆栈技术发展竞赛，SK hynix 与 Toshiba 近来动作相当积极。
SK hynix 正卯足全力冲刺 4D NAND（本质同 3D NAND），刚宣布已经完成 128 层堆栈制品开发作业，属于 TLC 架构类型、1Tb 容量密度，同时间也排定开始进行量产。这项制品结合多项创新技术设计，官方宣称与自家先前的 96 层 4D NAND 相比，晶圆生产率可提升 40％、过渡投资成本降低 60％。
当前这款 128 层 TLC 4D NAND，内部具有超过 3600 亿个单元，以 1.2V 电压驱动可达到 1,400Mbps 信息传输速率，高性能与低功耗等特性兼具。因此适合行动平台与企业级固态硬盘，以及记忆卡等高容量需求产品导入采用，SK hynix 表示在下半年正式出货销售之后，也会持续推出各种解决方案。
