简单的湿法蚀刻工艺可能只包括将要去除的材料溶解在液体溶剂中，而不改变溶解材料的化学性质。然而，一般而言，湿法蚀刻工艺涉及一种或多种化学反应，这些反应会消耗原始反应物并产生新物质。
基本湿法蚀刻工艺可分为三个基本步骤： 1) 蚀刻剂扩散到表面以进行去除；2）蚀刻剂与被去除材料之间的反应；3) 反应副产物从反应表面扩散。
湿法刻蚀原理
湿蚀刻通常是 各向同性的，即它以相同的速率在所有方向上进行。非各向同性的蚀刻工艺称为 “各向异性”。 仅在一个方向（例如，仅垂直）上进行的蚀刻工艺被称为“完全各向异性”。
湿法刻蚀的特性
目前，湿法刻蚀一般被用于工艺流程前面的晶圆片准备、清洗等不涉及图形的环节，而在图形转移中干法刻蚀已占据主导地位。
湿法刻蚀的应用
湿法刻蚀的应用案例
湿法刻蚀的应用
湿法刻蚀的应用
湿法刻蚀的应用
除了集成电路极小部分制程需要外，非集成电路的大部分产品都会用到。换句话说，只要刻蚀要求不是那么严格（3um），都能用湿法刻蚀来替代干法刻蚀。集成电路主要包括模拟器件，逻辑，微处理器，存储等，而非集成电路一般包括mems传感器，光电器件，分立器件等。
湿法刻蚀的应用
所有的晶圆级封装厂，TSV转换板厂都需要湿法刻蚀。需要用湿法刻蚀来除去电镀bump后的种子层等。
湿法刻蚀的工艺特性
湿蚀刻通常是各向同性的，这导致蚀刻剂化学物质去除了掩膜材料下方的基板材料。湿蚀刻还需要大量的蚀刻剂化学物质，因为基底材料必须被蚀刻剂化学物质覆盖。此外，必须一致地替换蚀刻剂化学物质，以保持相同的初始蚀刻速率。结果，与湿蚀刻有关的化学和处理成本非常高。
湿法刻蚀的环保措施
湿法刻蚀的进行，通常先利用氧化剂(如Si和Al刻蚀时的HNO3)将被刻蚀材料氧化成氧化物(例如SiO2、Al2O3)，再利用另一种溶剂(如Si刻蚀中的HF和A1刻蚀中的H3PO4)将形成的氧化层溶解并随溶液排出。如此便可达到刻蚀的效果。
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